[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

一种半导体器件的制作方法：依次刻蚀氮氧化硅层、第二氧化硅层、第二刻蚀终止层及第一氧化硅层，在第一刻蚀终止层停止刻蚀，形成连接孔；在所述连接孔内及氮氧化硅层表面涂布底部抗反射层BARC，所述BARC填充满连接孔；在所述BARC的表面涂布第一光阻胶层，并图案化所述第一光阻胶层，图案化第一光阻胶层的开口与连接孔对应；回刻连接孔内的BARC；去除第一光阻胶层；在露出的BARC表面涂布第二光阻胶层，并图案化所述第二光阻胶层，图案化第二光阻胶层的开口为沟槽的宽度；以图案化的第二光阻胶层为腌膜，进行沟槽刻蚀，形成沟槽。该方法在利用图案化的光阻胶定义沟槽位置时，能够增大曝光机的控制窗口，并且能够解决沟槽内的尖刺缺陷。

主权项

一种半导体器件的制作方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔和沟槽，所述绝缘层包括依次在半导体衬底上沉积的第一刻蚀终止层(101)、第一氧化硅层(102)、第二刻蚀终止层(101’)、第二氧化硅层(102’)及氮氧化硅层(103’)，其特征在于，该方法包括：依次刻蚀氮氧化硅层(103’)、第二氧化硅层(102’)、第二刻蚀终止层(101’)及第一氧化硅层(102)，在第一刻蚀终止层(101)停止刻蚀，形成连接孔；在所述连接孔内及氮氧化硅层(103’)表面涂布底部抗反射层BARC，所述BARC填充满连接孔；在所述BARC的表面涂布第一光阻胶层(105)，并图案化所述光阻胶层(105)，图案化光阻胶层(105)的开口与连接孔对应；回刻连接孔内的BARC；去除第一光阻胶层(105)；在露出的BARC表面涂布第二光阻胶层(104)，并图案化所述第二光阻胶层(104)，图案化第二光阻胶层(104)的开口为沟槽的宽度；以图案化的第二光阻胶层(104)为腌膜，进行沟槽刻蚀，形成沟槽。