[发明专利]磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置有效
| 申请号： | 200910056802.3 | 申请日： | 2009-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101458403A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 袁海骏 | 申请（专利权）人： | 上海舜宇海逸光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置，该磁光晶体表面设置了具有永久磁畴的磁性薄膜，永久磁畴包括具有磁场方向的条纹，条纹包括以下至少之一：点、连续或不连续的线条，并且条纹之间的间隙与磁光晶体自由能状况或自然形成的条状复合磁畴的间隙相匹配。本发明因为采用具有永久磁畴的磁性薄膜，所以克服了现有的磁光晶体的复合磁畴变化后不能完全复原导致的随机误差问题，进而达到了测量精度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 及其 制备 方法 以及 应用 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种磁光晶体，其特征在于，其表面设置了具有永久磁畴的磁性薄膜，所述永久磁畴包括具有磁场方向的条纹，条纹包括以下至少之一：点、连续或不连续的线条，并且条纹之间的间隙与磁光晶体自由能状况或自然形成的条状复合磁畴的间隙相匹配。
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