[发明专利]氮化镓发光二极管结构

摘要

本发明公开了一种具有高逆向反抗电压以及高抗静电能力的氮化镓发光二极管结构。本发明所提出的氮化镓发光二极管，其结构与公知的氮化镓发光二极管最主要的差异是利用未掺杂的氮化铟镓或是低能隙(Eg＜3.4eV)的未掺杂的氮化铝铟镓两种材料，在公知的氮化镓发光二极管的P型接触层上形成一层抗静电薄层。本发明通过所述抗静电薄层可以使得氮化镓发光二极管的逆向反抗电压以及抗静电能力获得明显改善，进而提高氮化镓发光二极管的使用寿命。

主权项

一种氮化镓发光二极管结构，包括：基板，由氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC、Si、ZnO、GaAs、尖晶石和晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物之一所制成；缓冲层，位于该基板的一侧面上，由有一特定组成的AlaGabIn1-a-bN所构成，0≤a＜1，0≤b＜1，a+b≤1；N型接触层，位于该缓冲层上，由氮化镓材质构成；有源层，位于该N型接触层上，且覆盖部份该N型接触层上表面，由氮化铟镓所构成；负电极，位于该N型接触层未被该有源层覆盖的上表面上；P型被覆层，位于该有源层上，由P型氮化镓材质所构成；P型接触层，位于该P型被覆层上，由P型氮化镓所构成；抗静电薄层，位于该P型接触层上，由未掺杂的氮化铟镓、能隙小于3.4eV的未掺杂之氮化铝铟镓以及由未掺杂之氮化铟镓与能隙小于3.4eV的未掺杂的氮化铝铟镓组成的超晶格结构三种材料之一所构成；透明导电层，位于该抗静电薄层上、且覆盖其部份表面的金属导电层或透明氧化层，该金属导电层是由Ni/Au合金，Ni/Pt合金，Ni/Pd合金，Pd/Au合金，Pt/Au合金，Cr/Au合金，Ni/Au/Be合金，Ni/Cr/Au合金，Ni/Pt/Au合金，Ni/Pd/Au合金其中之一所构成，该透明氧化层是由ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn、In2O3:Zn、CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2、SrCu2O2其中之一所构成；以及正电极，位于该抗静电薄层上、未被该透明导电层覆盖的表面上，由Ni/Au合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd合金、Ni/Co合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Ti/Au合金、Cr/Au合金、Sn/Au合金、Ta/Au合金、TiN、TiWNx、WSiy其中之一所构成，x≥0，y≥0。