[发明专利]交流式覆晶发光二极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910057038.1 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859756A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 冯辉庆;黄国钦;潘锡明;朱胤丞 | 申请（专利权）人： | 山东璨圆光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 264500*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种交流式覆晶发光二极管结构及其制造方法，于一基板上嵌设复数个二极管，并于该二极管之上设置复数个覆晶式发光二极管，以使该基板的面积可完全使用以设置覆晶式发光二极管，使基板上的发光面积等于基板面积，提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 交流 式覆晶 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种交流式覆晶发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板，嵌设并相隔设一第一二极管与一第二二极管，嵌设并相隔设一第三二极管与一第四二极管；一第一发光二极管芯片，设置于该基板之上，该第一发光二极管芯片包含一第一电极与一第二电极，该第二电极通过一第一凸块分别与该第一二极管、该第二二极管相接，该第一电极通过一第二凸块与一接点相接，该接点设置于该基板之上；以及一第二发光二极管芯片，设置于该基板之上，且设置于该第一发光二极管芯片的一侧，该第二发光二极管芯片包含一第三电极与一第四电极，该第四电极通过一第三凸块与该接点相接，该第三电极通过一第四凸块分别与该第三二极管、该第四二极管相接。
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