[发明专利]保护SONOS闪存ONO层顶部高温氧化硅质量的方法无效
| 申请号： | 200910057280.9 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101894803A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林钢;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/283;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种保护SONOS闪存ONO层顶部高温氧化硅质量的方法；包括以下步骤：制备氧化物-氮化物-氧化物ONO层；在上述制备的ONO层之上，淀积一层氮化硅SiN帽层；栅氧化前清洗及栅氧化。本发明采用氮化硅帽层来保护SONOS闪存ONO层顶部高温氧化硅质量。由于氮化硅帽层具有良好的抗湿法刻蚀能力，这样可以有效的减少栅氧化前清洗对ONO膜层的影响。同时由于SiN具有较高的介电常数，在相同等效氧化层厚度(EOT)之下，可以具有更厚的物理厚度。这样可以有效的减弱栅电极注入。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 sonos 闪存 ono 顶部 高温 氧化 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种保护SONOS闪存ONO层顶部高温氧化硅质量的方法；其特征在于，包括以下步骤：制备氧化物‑氮化物‑氧化物ONO层；在上述制备的ONO层之上，淀积一层氮化硅SiN帽层；栅氧化前清洗及栅氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
