[发明专利]锗硅栅极的PMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅栅极的PMOS的制造方法，先形成赝栅极，接着在赝栅极的两侧形成侧墙；接着形成与赝栅极上表面齐平的介质层；接着去除赝栅极并形成沟道区；接着在原赝栅极的位置生长栅极介质层；接着在栅极介质层上生长多晶锗硅层；接着在多晶锗硅层上生长多晶硅层；接着去除介质层并形成源区、漏区；最后在多晶硅层上形成金属硅化物。或者也可以省略多晶锗硅层之上的多晶硅层。本发明可以制造栅极材料为多晶锗硅的PMOS，所形成的PMOS器件减小栅极耗尽效应，从而提高器件性能。

主权项

一种锗硅栅极的PMOS的制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在衬底表面生长一层衬垫氧化层，并制作沟槽隔离结构；第2步，去除衬垫氧化层，在衬底表面生长一层牺牲氧化层，并在牺牲氧化层上淀积赝栅极材料，采用光刻和/或刻蚀工艺形成赝栅极；第3步，在硅片表面淀积一层侧墙材料，采用干法刻蚀工艺反刻所述侧墙材料，在赝栅极的两侧形成侧墙；第4步，在硅片表面淀积一层介质层，采用化学机械研磨工艺将所述介质层上表面研磨至与赝栅极上表面齐平；第5步，去除赝栅极，采用离子注入工艺在两侧墙之间注入n型杂质形成沟道区；第6步，去除两侧墙之间的牺牲氧化层；第7步，在两侧墙之间的衬底上生长一层栅极介质层；第8步，在栅极介质层上生长一层多晶锗硅层；在多晶锗硅层上生长一层多晶硅层，并采用化学机械研磨工艺将所述多晶硅层上表面研磨至与介质层上表面齐平；去除介质层，采用离子注入工艺在两侧墙之外注入p型杂质形成源区、漏区；在多晶硅层上形成金属硅化物；或者，在栅极介质层上生长一层多晶锗硅层，并采用化学机械研磨工艺将所述多晶锗硅层上表面研磨至与介质层上表面齐平；去除介质层，采用离子注入工艺在两侧墙之外注入p型杂质形成源区、漏区；在多晶锗硅层上形成金属硅化物。