[发明专利]半导体金属连线制作工艺中改善介质层膜厚均一性的方法无效
| 申请号： | 200910057519.2 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101937867A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 邓镭;方精训;程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体金属连线制作工艺中改善介质层膜厚均一性的方法，在制作金属连线之后，淀积第一介质层，然后在所述第一介质层上淀积一层阻挡层，再在所述阻挡层上淀积第二介质层，所述第二介质层的最低处要高于所述阻挡层的最高处，之后进行化学机械抛光，所述阻挡层在后面进行的化学机械抛光中对所述第二介质层具有高选择比，使得化学机械抛光后的表面停留在所述阻挡层的最高处。本发明使化学机械抛光在研磨介质层的时候能够停在该阻挡层上，以有效消除因耗材和工艺参数的变化引起的化学机械抛光工艺波动，同时在一定程度上了克服化学机械抛光自身特性的限制，改善了介质层化学机械抛光后硅片面内和硅片之间的膜厚均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属 连线 制作 工艺 改善 介质 层膜厚 均一 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体金属连线制作工艺中改善介质层膜厚均一性的方法，其特征在于，在制作金属连线之后，淀积第一介质层，然后在所述第一介质层上淀积一层阻挡层，再在所述阻挡层上淀积第二介质层，所述第二介质层的最低处要高于所述阻挡层的最高处，之后进行化学机械抛光，所述阻挡层在后面进行的化学机械抛光中对所述第二介质层具有高选择比，使得化学机械抛光后的表面停留在所述阻挡层的最高处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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