[发明专利]倒装发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 200910057583.0 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101593801A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 颜建锋;郝茂盛;李淼;周健华;潘尧波;袁根如;陈诚;李士涛;张国义 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/782;H01L21/784;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201210上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在所述具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，并分别制备P电极和N电极；3)从所述衬底的背面采用激光照射所述衬底，使所述衬底与发光二极管结构分离，从而将所述衬底上的微结构图形转移至所述发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。
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