[发明专利]解决测试Pad使用中耐压问题的电路及方法有效
| 申请号： | 200910057702.2 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101989465A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 董乔华;姚翔 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决测试Pad使用中耐压问题的电路；包括：测试Pad模块，包括MOS管；存储器模块与测试Pad模块中MOS管的漏极相连接；有电压转换电路与存储器模块相连接；电压转换电路与测试Pad模块中MOS管的栅极和衬底相连接，调节MOS管栅极和衬底电位，电压转换电路向测试Pad模块输出电压V1，输出至测试Pad中的MOS管栅极和衬底；当测试信号为最高正电压时，调整电压V1的电位到一电压；当测试信号为负电压时，调整电压V1为另一电压。本发明在只有一组测试Pad的前提下，仍然是测试Pad的MOS器件的各端点之间的电压差满足器件的工艺条件，从而顺利完成存储器所需的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 测试 pad 使用 耐压 问题 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种解决测试Pad使用中耐压问题的电路；包括：测试Pad模块，包括MOS管；存储器模块与测试Pad模块中MOS管的漏极相连接；其特征在于，还包括：电压转换电路与存储器模块相连接；电压转换电路与测试Pad模块中MOS管的栅极和衬底相连接，调节MOS管栅极和衬底电位，电压转换电路向测试Pad模块输出电压V1，输出至测试Pad中的MOS管栅极和衬底；当测试信号为最高正电压时，调整电压V1的电位到一电压；当测试信号为负电压时，调整电压V1为另一电压。
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