[发明专利]积累型MOS变容管的电学模型有效
| 申请号： | 200910057781.7 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101996263A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周天舒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种积累型MOS变容管的电学模型， |
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| 搜索关键词： | 积累 mos 变容管 电学 模型 | ||
【主权项】：
一种积累型MOS变容管的电学模型，其特征是，所述电学模型表述为： Cap = c 1 + c 2 × [ 1 + tanh ( Vgs + c 3 c 4 ) ] Cap是积累型MOS变容管的电容值；Vgs是积累型MOS变容管栅极与源极之间所加的电压值，并且栅极作为可变电压端，源极和漏极短接作为参考电压端；tanh()是双曲正切函数；c1＝a+b×Wg+c×Lg+d×Wg×Lgc2＝e×Wg×Lga、b、c、d和e均为常数，取值范围在0到10之间；Wg和Lg分别为积累型MOS变容管的沟道宽度和沟道长度；c3和c4为常数，取值范围在一2到2之间。
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