[发明专利]光刻工艺中精确对准的校正模型

摘要

本发明公开了一种光刻工艺中精确对准的校正模型，直接测量得到多晶硅栅对准浅槽隔离的第一层套准数据与接触孔对准多晶硅栅的第二层套准数据；第一层套准数据与第二层套准数据进行矢量相加得到接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据；由所述第三层套准数据计算得到第三层最大横向套准偏移量和第三层最大纵向套准偏移量；当所述第三层最大横向套准偏移量或第三层最大纵向套准偏移量大于套准容差时，系统会自动防止产品流向下工程。本发明保证了产品质量、提高了产品良率、提升了经济效益。

主权项

一种光刻工艺中精确对准的校正模型，直接测量得到多晶硅栅对准浅槽隔离的第层一套准数据，所述第一层套准数据包括分量：第一层硅片横向偏移量、第一层硅片纵向偏移量、第一层硅片横向放大倍率、第一层硅片纵向放大倍率、第一层硅片正交角度、第一层硅片旋转角度、第一层掩模版横向放大倍率、第一层掩模版纵向放大倍率、第一层掩模版旋转角度；直接测量得到接触孔对准多晶硅栅的第二层套准数据，所述第二层套准数据包括分量：第二层硅片横向偏移量、第二层硅片纵向偏移量、第二层硅片横向放大倍率、第二层硅片纵向放大倍率、第二层硅片正交角度、第二层硅片旋转角度、第二层掩模版横向放大倍率、第二层掩模版纵向放大倍率、第二层掩模版旋转角度；其特征在于：将所述第一层套准数据和所述第二层套准数据的各分量分别对应进行矢量相加，得到接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据，该第三层套准数据包括分量：第三层硅片横向偏移量、第三层硅片纵向偏移量、第三层硅片横向放大倍率、第三层硅片纵向放大倍率、第三层硅片正交角度、第三层硅片旋转角度、第三层掩模版横向放大倍率、第三层掩模版纵向放大倍率、第三层掩模版旋转角度。