[发明专利]双极NPN型带隙基准电压电路

摘要

本发明公开了一种双极NPN型带隙基准电压电路，在传统双极NPN型带隙基准电压源电路结构基础上，增加固定偏置电路和保护控制电路，利用标准双极NPN型带隙基准源电压源输出基准电压约为1.2伏总是小于二倍BJT管基极发射极电压约1.4伏的特性，在固定偏置电路中实现二倍BJT管基极发射极电压约为1.4伏，再通过比较器实现二倍BJT管基极发射极电压与带隙基准源输出基准电压的比较控制，既能兼顾带隙基准电压源启动又能起过压保护作用。本发明的双极NPN型带隙基准电压电路，当输出的基准电压过高时，能实现电路的自动保护，并且适合在各种双极型晶体管和金属氧化物场效应管兼容的工艺下制造。

主权项

一种双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于，包括一双极NPN型带隙基准电压源，一保护控制电路，一两倍BJT基极发射极电压固定偏置电路；所述双极NPN型带隙基准电压源，包括NPN型比例双极型晶体管第一BJT管、第二BJT管、第三BJT管，以及NPN型第四BJT管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，第四BJT管的集电极连接电源，第四BJT管的发射极连接基准电压输出端，即第一电阻、第二电阻的一端，第一电阻的另一端连接第一BJT管的集电极与基极同时连接第二BJT管的基极，第二电阻的另一端接第二BJT管的集电极和第三BJT管的基极，第一BJT管的发射极接地，第二BJT管的发射极通过第三电阻后接地，第三BJT管的发射极接地，其中第二BJT管的有效发射区面积是第一BJT管的k倍，k＞1；第四电阻的一端连接第四BJT管的基极并连接第三BJT管的集电极，第四电阻的另一端通过P型金属氧化物场效应管第六PMOS管连接到电源；所述两倍BJT基极发射极电压固定偏置电路，包括两个双极型晶体管，所述两个双极型晶体管都分别将基极发射极短接，形成两个基极发射极PN结，其中一个基极发射极PN结的负端接地，正端接另一个基极发射极PN结的负端，另一个基极发射极PN结的正端作为两倍BJT基极发射极电压固定偏置输出端，并通过一栅漏短接的P型金属氧化物场效应管或一电阻接电源；所述保护控制电路，包括一个P型金属氧化物场效应管第六PMOS管和一个比较器，第六PMOS管的源极接电源，漏极接双极NPN型带隙基准电压源中的第四电阻的另一端，栅极接所述比较器的输出端，所述比较器的正输入端接双极NPN型带隙基准电压源基准电压输出端，负输入端接两倍BJT基极发射极电压固定偏置输出端。