[发明专利]硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910057979.5 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102034855A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/12;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅-锗HBT，包括T形发射极、内基区和外基区，所述T形发射极的上表面与内基区上表面的垂直距离的最大值为a，最小值为b，a与b的差值为c，c小于或等于b的5％，或者c小于或等于500；所述外基区包括硅锗合金及其上方的多晶硅共两层；所述内基区为硅锗合金一层。本发明还公开了上述硅-锗HBT的制造方法。本发明硅-锗HBT及其制造方法，T形发射极具有非常平整的上表面；发射极可以采用多晶硅或高k金属材料，并且与CMOS的金属栅工艺相兼容；降低了外基区杂质向衬底的扩散，从而降低了寄生电容，有利于提高器件的整体工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 锗异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅-锗异质结双极晶体管，包括T形发射极、内基区和外基区，其特征是，所述T形发射极的上表面与内基区上表面的垂直距离的最大值为a，最小值为b，a与b的差值为c，c小于或等于b的5％，或者c小于或等于500![]()
；所述外基区包括硅锗合金及其上方的多晶硅共两层；所述内基区为硅锗合金一层。
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