[发明专利]含晶粒生长抑制剂的纳米晶碳氮化钛粉末及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910058043.4 申请日: 2009-01-05
公开(公告)号: CN101462702A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 刘颖;叶金文;邓莉;涂铭旌 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;C04B35/58
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 吕建平
地址: 610207*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种含晶粒生长抑制剂的纳米晶碳氮化钛粉末及其制备方法。氮化钛粉末以含钛基料、碳质还原剂和含钒铵盐为制备原料,其制备方法是,将按比例配备好的原料置入球磨设备球磨混合制得前驱体粉末,或溶于去离子水/蒸馏水中,制得悬浊液,经除水干燥、加热和骤冷处理制得前驱体粉末,或经喷雾干燥制得前驱体粉末;将制取的前驱体粉末置于还原反应炉中,在氮气、氨气或氮氨混合气的气氛下,于900℃~1450℃碳化还原反应0.5~4h,即制得含晶粒生长抑制剂的纳米晶碳氮化钛粉末。本发明提供的碳氮化钛粉末,具有混合均匀、粉末晶粒细、生产成本低、工艺简单、适合工业化生产等特点,能更好地满足高性能碳氮化钛基金属陶瓷材料与制品等领域的应用要求。
搜索关键词: 晶粒 生长 抑制剂 纳米 氮化 粉末 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种含晶粒生长抑制剂的纳米晶碳氮化钛粉末,其特征在于原料组分主要包括,以重量百分比计为:含钛基料 44~79%碳质还原剂 20~51%含钒铵盐 0.1%~5%。
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