[发明专利]一种自吸气真空镀膜方法无效
| 申请号： | 200910058388.X | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101492807A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;靖红军;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自吸气真空镀膜方法，系在正式沉积薄膜前，真空度尚达不到预设值时，预先沉积一层薄膜，然后停止沉积，继续抽真空。利用该薄膜自身的吸气作用使气压迅速降低至设定值后，再进行正式的薄膜沉积。该方法能极大地缩短抽真空的时间，减少残留气体中活性气体的成分，提高薄膜的纯度，适用于利用物理气相沉积法制备活性的金属或其合金薄膜。该方法不需要对原有的镀膜设备做任何改动，具有操作简单、普适性强等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸气 真空镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自吸气真空镀膜方法，是在处于真空室内的基板上制备金属或者合金薄膜，其特征在于，包括以下步骤：(1)将真空室抽真空至预设值P1；(2)在基板遮蔽状态下，预先沉积一层薄膜；(3)停止薄膜沉积，继续抽真空至预设值P2，P2＜P1；(4)使基板处于无遮蔽状态，正式在基板上沉积薄膜。
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