[发明专利]一种铁氧体与陶瓷材料低温匹配共烧方法无效
申请号: | 200910058733.X | 申请日: | 2009-03-30 |
公开(公告)号: | CN101514102A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 李元勋;刘颖力;张怀武;陈大明;谢云松;杨宗宝;吴阳 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/64;C04B35/63 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种铁氧体与陶瓷材料低温匹配共烧方法,属于电子元器件技术领域,涉及陶瓷和铁氧体的低温共烧方法(LTCC技术),尤其是一种LTCC技术中消除应力、实现异相材料匹配共烧的方法。本发明通过在铁氧体流延浆料配方中加入相当于铁氧体粉料5wt%的BBSZ玻璃作为匹配共烧助剂,控制异相材料之间烧结致密化特性参数的一致,从而实现在共烧过程中的匹配烧结。本发明有效改善了材料的低温烧结致密化特性参数,可以实现异相材料的匹配共烧;同时对陶瓷或铁氧体粉料的电磁性能影响不大。本发明具有简便、可操作性好、价格低廉、效果明显等特点,可广泛应用于LTCC技术中制作各种电子元器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 铁氧体 陶瓷材料 低温 匹配 方法 | ||
【主权项】:
1、一种铁氧体与陶瓷材料低温匹配共烧方法,包括以下步骤:步骤1:分别配制陶瓷粉料和铁氧体粉料的流延浆料,其中在铁氧体流延浆料中加入相当于铁氧体粉料5wt%的BBSZ玻璃,即Bi2O3·B2O3·SiO2·ZnO玻璃作为匹配共烧助剂;步骤2:采用LTCC工艺流程,经流延、打孔、填孔、印刷、叠片、等静压、切割、排胶、烧结、封端和电镀工艺制作出所需要的电子元器件。
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