[发明专利]基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法在审
申请号: | 200910059204.1 | 申请日: | 2009-05-07 |
公开(公告)号: | CN101561295A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 龚元;饶云江;郭宇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法,包括以下步骤:将高掺杂光纤端面浸入腐蚀液进行腐蚀,在端面形成微孔;将两根腐蚀后的光纤微孔相对进行熔接、或将一根腐蚀后的光纤微孔与单模光纤端面熔接,形成光纤珐珀传感器,采用氢氟酸和强无机酸的混合液作为腐蚀液,所用光纤为纤芯高掺杂光纤,高掺杂浓度进一步加大包层与纤芯的腐蚀速率差,腐蚀液中的强无机酸,使氢氟酸浓度降低,减小了腐蚀液对包层的腐蚀速率,在增加纤芯腐蚀深度的同时,减小包层的腐蚀量,使熔接后的珐珀传感器机械性能得到较大改善。 | ||
搜索关键词: | 基于 腐蚀 掺杂 光纤 传感器 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法,其特征在于,包含以下步骤:①将高掺杂光纤端面侵入腐蚀液进行腐蚀,在其端面将纤芯部分腐蚀而形成微孔,所述腐蚀液为氢氟酸和强无机酸的混合液,所述高掺杂光纤的光纤纤芯掺杂,掺杂质包括稀土元素、锗和硼,掺杂浓度高于普通单模光纤的掺锗浓度,包层为纯石英;②将经步骤①得到的高掺杂光纤清洗掉残余的腐蚀液,然后置于无尘环境中晾干或用吹风机吹干;③将两根经过步骤②处理后得到高掺杂光纤的微孔相对进行熔接、或者将一根经过步骤②处理后得到的高掺杂光纤的微孔与一根单模光纤端面进行熔接,形成光纤珐珀传感器。
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