[发明专利]一种石墨纳米片场发射材料及其制备方法

摘要

一种石墨纳米片场发射材料及其制备方法，属于电子材料技术领域，涉及场发射材料，适用于场发射平面显示器(FED)中的场发射阴极，以及用于制作真空微电子器件的冷阴极。所述石墨纳米片场发射材料由纳米级的片状石墨组成，其厚度在50nm以下，长度为2～10μm；开启场小于等于1.7V/μm，阈值场小于等于3.4V/μm。所述石墨纳米片场发射材料由工业可膨胀石墨经加热充分膨胀、有机溶剂浸泡并超声振荡后经真空退火处理得到。本发明提供的石墨纳米片场发射材料具有较低的开启场和阈值场，化学稳定性好，发射电流密度大；同时，其制备方法简便、能耗低，易于实现工业化量产。

主权项

1、一种石墨纳米片场发射材料，其特征在于它是由纳米级的片状石墨组成，石墨纳米片的厚度在50nm以下，长度为2～10μm；石墨纳米片的开启场，即对应于发射电流密度为10μA/cm2时的电场小于等于1.7V/μm；石墨纳米片的阈值场，即对应于发射电流密度为1mA/cm2时的电场小于等于3.4V/μm。