[发明专利]一种高灵敏温度传感器无效
| 申请号： | 200910059904.0 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101598607A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 吴宇;饶云江;陈一槐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01K11/32 | 分类号： | G01K11/32;G02B6/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高灵敏温度传感器，其特征在于，包括氟化镁基底和氟化镁薄膜，在氟化镁基底上设置有利用聚合物微纳光纤构成的环状微谐振腔结构，该环状微谐振腔一端通过氧化硅微纳光纤的锥形过渡区连接标准光纤输入端，另一端同样通过一氧化硅微纳光纤的锥形过渡区连接标准光纤输出端，环状微谐振腔采用倏逝波耦合的方式实现光输入和输出，所述氟化镁薄膜覆盖上述部件并将其固定和封装在氟化镁基底上。该高灵敏温度传感器是一种基于亚波长直径聚合物微纳光纤环形谐振腔的温度传感器，克服了现有技术中所存在的缺陷，灵敏度高，响应速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏 温度传感器 | ||
【主权项】：
1、一种高灵敏温度传感器，其特征在于，包括氟化镁基底和氟化镁薄膜，在氟化镁基底上设置有利用聚合物微纳光纤构成的环状微谐振腔结构，该环状微谐振腔一端通过氧化硅微纳光纤的锥形过渡区连接标准光纤输入端，另一端同样通过一氧化硅微纳光纤的锥形过渡区连接标准光纤输出端，环状微谐振腔采用倏逝波耦合的方式实现光输入和输出，所述氟化镁薄膜覆盖上述部件将其固定和封装在氟化镁基底上。
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