[发明专利]掺铊碘化铯(CsI:T1)薄膜的一种制备方法无效
| 申请号： | 200910060112.5 | 申请日： | 2009-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101967678A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;张佳宁;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功能薄膜材料制备技术，提供了掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的制备方法。提供了一种制备掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的方法，采用热蒸发方式实现对50～100μm掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的制备，在衬底上制备出均匀、致密、与衬底粘附良好、与CMOS工艺兼容、性能优良的掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜，可被广泛应用于X射线探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 碘化 csi t1 薄膜 一种 制备 方法 | ||
【主权项】：
掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的制备方法，包括(1)原材料的选取、(2)衬底的选取、(3)蒸发舟的制作、(4)通过热蒸发法制备(CsI:Tl)薄膜；其中热蒸发法制备薄膜的过程包括(5)固定衬底和蒸发舟，添加蒸发材料、(6)抽真空、(7)蒸发、(8)取件。
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