[发明专利]一种Nand闪存仿真装置有效

专利信息
申请号: 200910060235.9 申请日: 2009-08-03
公开(公告)号: CN101644993A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 孙银明 申请(专利权)人: 和芯微电子(四川)有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C29/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种Nand闪存仿真装置,包括通过总线连接的用于与终端通讯的通讯接口、用于和通讯接口交换数据及配置接口转换逻辑的控制逻辑单元、用于存储数据的存储器、用于仿真数据的接口转换逻辑,所述控制逻辑单元将从通讯接口接收到的信息,转化为对接口转换逻辑的配置信息,通过配置信息对接口转换逻辑配置后,接口转换逻辑接收Nand Flash的命令和数据进行仿真,同时还将仿真的命令和数据通过控制逻辑单元经通讯接口上报给主机或者其他终端;本发明可以真实仿真各种类型的Nand Flash,监控仿真Nand Flash的命令和数据,其存储单元使用寿命接近无限。
搜索关键词: 一种 nand 闪存 仿真 装置
【主权项】:
1、一种Nand闪存仿真装置,其特征在于:包括通过总线连接的用于与终端通讯的通讯接口、用于和通讯接口交换数据及配置接口转换逻辑的控制逻辑单元、用于存储数据的存储器、用于仿真数据的接口转换逻辑,所述控制逻辑单元将从通讯接口接收到的信息,转化为对接口转换逻辑的配置信息,通过配置信息对接口转换逻辑配置后,接口转换逻辑接收Nand闪存的命令和数据进行仿真,同时还将仿真的命令和数据通过控制逻辑单元经通讯接口上报给主机或者其他终端。
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