[发明专利]一种GaN基发光二极管的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910060799.2 申请日: 2009-02-20
公开(公告)号: CN101488551A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 赵彦立;元秀华;黄黎蓉;余永林;刘文;黄德修 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 王守仁
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法,该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率,并同时解决透明导电电极与P-GaN的欧姆接触问题;在工艺上,电极选材合理,采用了纳米压印技术,具有制作成本低,生产效率高及光栅分辨率高的特点。
搜索关键词: 一种 gan 发光二极管 制备 方法
【主权项】:
1. 一种GaN基发光二极管的制备方法,包括利用金属有机化学气相沉积和分子束外延的半导体外延层生长步骤,其特征是所述方法包括以下步骤:a. 半导体外延层的生长:先把衬底(1)清洗干净,利用金属有机化学气相沉积和分子束外延的半导体外延生长方法在衬底(1)上依次沉积缓冲层(2)及半导体外延叠层结构,该半导体外延叠层由下往上至少包括N型层(3),发光层(9)和P型GaN层(5);b. 在P型GaN层(5)表面上制备透明导电电极(6):把用真空过滤方法得到的带有CNT薄膜的过滤膜放置在P型GaN层(5)表面上,保证过滤膜上CNT薄膜的一侧和P型GaN层(5)表面紧密接触;待CNT薄膜干了后去掉过滤膜,在P型GaN层上得到的CNT薄膜用丙酮清洗数次,再用甲醇清洗;c. 二维CNT薄膜光子晶体(8)的制备:在透明导电电极(6)上需透光部分,用纳米压印和刻蚀相结合的方法制作二维CNT薄膜光子晶体(8);d. N型金属电极(4)的形成:部分刻蚀透明导电电极(6)、P型GaN层(5)和发光层(9),直到露出N型层(3),在N型层经刻蚀露出的区域用蒸镀方法形成N型金属电极(4);e. 在透明导电电极(6)需电接触部分制备P型电极(7):在透明导电电极(6)上电接触部分沉积一层或多层P型电极(7),该P型电极是金属电极或合金电极;至此制备出用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基发光二极管。
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