[发明专利]对具有导磁材料保护层的构件腐蚀检测方法及装置有效
| 申请号： | 200910061369.2 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101520435A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 武新军;徐志远;黄琛;丁旭;康宜华;徐江 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/90 | 分类号： | G01N27/90 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 李 智 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对具有导磁材料保护层的构件腐蚀检测方法，具体为：将导磁保护层磁化到饱和或深度饱和，在被测构件表面选取参考区域和待测区域，在两区域的保护层上设置脉冲涡流传感器，向脉冲涡流传感器激励线圈中施加方波激励，测取方波下降至低电平后传感器检测线圈内感应电压的衰减曲线，比较两区域的感应电压衰减曲线差异，即可判别待测区域相对参考区域的腐蚀情况。本发明还提供了实现上述方法的装置，包括依次连接的脉冲涡流传感器、方波信号激励电路、信号处理电路、A/D转换电路和计算机，脉冲涡流传感器带有磁化单元。本发明提高了对带导磁材料保护层的构件腐蚀检测灵敏度，适用于不拆除保护层和包覆层的不停机检测。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材料 保护层 构件 腐蚀 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、对具有导磁材料保护层的构件腐蚀检测方法，包括以下步骤：(1)将导磁保护层磁化到饱和或深度饱和；(2)在被测构件表面任意选取一区域作为参考区域，在其保护层上设置脉冲涡流传感器；(3)在脉冲涡流传感器激励线圈中施加方波激励；(4)测取方波下降至低电平后传感器检测线圈内感应电压的衰减曲线；(5)在被测构件待测区域的保护层上设置脉冲涡流传感器，按照步骤(3)～(4)的方式获得该区域的感应电压衰减曲线；(6)比较参考区域与待测区域的感应电压衰减曲线差异，即可判别待测区域相对参考区域的腐蚀情况。
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