[发明专利]泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法无效
| 申请号： | 200910061551.8 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101519196A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 黄志良;程晓焜;刘羽;喻俊;王涵;池汝安 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C01B25/32 | 分类号： | C01B25/32 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的方法，具体的是涉及一种多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法，在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中，在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下，对体系的压力进行调节，调节范围是1.5atm～25atm，以实现对产物平均孔径1.5μm～0.5μm范围内的控制。本发明的有益效果是：提供了一种控制多孔碳羟磷灰石的孔径的新方法，该方法简单可行、成本低廉，即在泡界模板法这一简便方法的基础上实现孔径控制，产物孔径在微米范围内(1.5μm～0.5μm)可控。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 法制 多孔 磷灰石 孔径 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法，其特征在于在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中，在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下，对体系的压力进行调节，调节范围是1.5atm～25atm，以实现对产物平均孔径1.5μm～0.5μm范围内的控制。
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