[发明专利]一种垂直谐振腔超窄带红外发射光源无效

专利信息
申请号: 200910061698.7 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101626140A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 赖建军;梁华锋;彭中良 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/183
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种垂直谐振腔超窄带红外发射光源,包括基底材料和在基底材料上制作的一维光子晶体,其特征在于:它还包括微桥结构和电源,在一维光子晶体和微桥结构之间有谐振腔,微桥结构与一维光子晶体相对的面为金属材料,微桥结构通过电极与电源相连。该红外发射光源可以减少介质光子晶体由于受热应力的影响而改变器件的热辐射光谱性能,其工作性能更稳定,并且具有更窄的发射谱线。
搜索关键词: 一种 垂直 谐振腔 窄带 红外 发射 光源
【主权项】:
1、一种垂直谐振腔超窄带红外发射光源,包括基底材料(1)和在基底材料(1)上制作的一维光子晶体(2),其特征在于:它还包括微桥结构(3)和电源(4),在一维光子晶体(2)和微桥结构(3)之间有谐振腔(5),微桥结构(3)与一维光子晶体(2)相对的面为金属材料,微桥结构(3)通过电极与电源(4)相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910061698.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top