[发明专利]一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法

摘要

一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：1)N型硅片化学处理，正面制绒；2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；5)去除氮化硅隔离膜；6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；7)制作背面铝扩散P层及正负电极。本发明利用常规P型太阳能电池设备制作N型太阳能电池的过程中涉及到磷、铝两次扩散掺杂，在磷扩散前在背面镀一层氮化硅膜阻止磷原子扩散到硅，然后在去磷硅玻璃的时候同时去掉氮化硅隔离膜，使得本发明无需对常规P型太阳能的产线进行改造就可以生产N型电池，解决了生产N型电池与P型电池共线生产的关键问题。

主权项

1.一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：1)N型硅片化学处理，正面制绒；2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；5)去除氮化硅隔离膜；6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；7)制作背面铝扩散P层及正负电极。