[发明专利]苯硼酸修饰的阳离子聚合物及其合成方法和应用有效

专利信息
申请号: 200910063169.0 申请日: 2009-07-14
公开(公告)号: CN101597349A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 钟振林;彭琪;卓仁禧 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C08F26/02 分类号: C08F26/02;C08F8/42;C08G69/48;C08B37/08;C12N15/63;C12N15/82;C12N15/85
代理公司: 武汉天力专利事务所 代理人: 程 祥;冯卫平
地址: 43007*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种苯硼酸修饰的阳离子聚合物,其结构式为(见右下):其中,R是为H或含有1到10个碳的烷基或含氮、氧、硫、氯、溴或碘的取代烷基;P为阳离子聚合物;P的分子量Mw在400到500000之间;1≤n≤20。其制法为将带有活性基团的苯硼酸和阳离子聚合物溶于甲醇或N,N-二甲基甲酰胺中,在20~60℃反应2~48小时得到苯硼酸修饰的阳离子聚合物。本发明利用苯硼酸基团能和蛋白质、多糖、核酸等生物大分子中的羟基、氨基等功能团形成可逆共价结合的性质,提高载体材料对基因结合并带入细胞的能力,从而实现基因的高效率转染。
搜索关键词: 硼酸 修饰 阳离子 聚合物 及其 合成 方法 应用
【主权项】:
1.一种苯硼酸修饰的阳离子聚合物,其结构式为:其中,R是和硼酸基团处于苯环的邻位、间位或是对位的H或者含有1到10个碳原子的烷基或含氮、氧、硫、氯、溴或碘的取代烷基;P为在pH为7的环境中带正电的天然或合成阳离子聚合物;P的分子量Mw在400到500000之间;1≤n≤20。
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