[发明专利]一种四氟化硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910064291.X 申请日: 2009-02-27
公开(公告)号: CN101481113A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 皇甫根利;闫春生;贾雪枫;马小芬 申请(专利权)人: 多氟多化工股份有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 代理人: 陈 浩;牛爱周
地址: 454191河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种四氟化硅的制备方法,以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:(1)将氟硅酸溶液和氧化镁反应10~60分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体用25~55℃气流鼓动1~3小时,脱去附着水和结晶水;(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁在200~300℃的温度下煅烧1~2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;(4)四氟化硅气体经纯化,得到高纯四氟化硅气体。本发明生产成本低,所制备的四氟化硅质量优,无三废排放,另外联产的氟化镁可做为电解铝工业的添加剂,不产生含氟废渣,具有很好的经济价值和社会价值,易于推广应用。
搜索关键词: 一种 氟化 制备 方法
【主权项】:
1、一种四氟化硅的制备方法,其特征在于:以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:(1)将氟硅酸溶液和氧化镁反应10~60分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体用25~55℃气流鼓动1~3小时,脱去附着水和结晶水;(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁在200~300℃的温度下煅烧1~2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;(4)四氟化硅气体经纯化,得到高纯四氟化硅气体。
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