[发明专利]大偏角籽晶的加工方法无效

专利信息
申请号: 200910064345.2 申请日: 2009-03-09
公开(公告)号: CN101537666A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 李百泉;陈坚邦;李闯 申请(专利权)人: 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00
代理公司: 新乡市平原专利有限责任公司 代理人: 马既森
地址: 453000河南省新乡市卫滨*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种大偏角籽晶的加工方法,本发明首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭,在单晶锭的头部先确定出(111)晶面,在晶面上根据晶向要求确定偏角值,然后用(331)衍射角衍射,根据所需长度切割出单晶块,再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上,粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度,用(311)衍射角衍射,根据所需高度切割,然后将单晶块旋转90°,定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度,然后进行清洗即可。本发明不仅能解决了大偏角籽晶加工的难题,而且具有简单、准确、快捷的优点。
搜索关键词: 偏角 籽晶 加工 方法
【主权项】:
1、大偏角籽晶的加工方法,其特征在于:首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭,在单晶锭的头部先确定出(111)晶面,在晶面上根据晶向要求确定偏角值,然后用(331)衍射角衍射,根据所需长度切割出单晶块,再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上,粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度,用(311)衍射角衍射,根据所需高度切割,然后将单晶块旋转90°,定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度,然后进行清洗即可。
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