[发明专利]叠层器件的低应力底部填充方法有效
申请号: | 200910064767.X | 申请日: | 2009-04-30 |
公开(公告)号: | CN101814444A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 曹光明;耿东峰;蒲季春;苏宏毅;王海珍;徐淑丽;张向锋 | 申请(专利权)人: | 中国空空导弹研究院 |
主分类号: | H01L21/54 | 分类号: | H01L21/54;H01L21/56;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 陈浩;牛爱周 |
地址: | 471000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法,包括以下步骤:(1)环氧胶的选取;(2)消除环氧胶混合时产生的气泡;(3)对叠层器件进行施胶;(4)环氧胶的固化,分两阶段:a)环氧胶的硬化成型阶段;b)环氧胶的强化固化阶段;(5)检测环氧胶的固化是否完全。本发明的方法使叠层器件的层层之间有很高的粘附力和力学强度;胶层中不会有工艺残余应力。本发明的方法广泛应用于叠层形式的多芯片封装,倒焊互连器件的封装,微机电系统MEMS器件封装及液晶盒封装等方面,降低叠层器件填充环氧胶的固化残余应力,保证力学强度,将应力可能造成的破环降至最小,从而提高叠层器件的热力学可靠性。 | ||
搜索关键词: | 器件 应力 底部 填充 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层器件的低应力底部填充方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)环氧胶的选取;(2)消除环氧胶混合时产生的气泡;(3)对叠层器件进行施胶;(4)环氧胶的固化,分两阶段:a)环氧胶的硬化成型阶段;b)环氧胶的强化固化阶段;(5)检测环氧胶的固化是否完全。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国空空导弹研究院,未经中国空空导弹研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910064767.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造