[发明专利]中空碳酸钙方解石晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200910065119.6 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101580261A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;吴新志;戴树玺;张兴堂 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C01F11/18 | 分类号： | C01F11/18 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 中空碳酸钙方解石晶体的制备方法，属仿生合成领域。该法在无尘箱内进行，包括两个步骤：1)将聚β-苯甲基天门冬氨酸溶于挥发性溶剂中制成铺展液，然后将铺展液滴于去离子水亚相表面上，使聚β-苯甲基天门冬氨酸铺展成单分子膜，保持一段时间以使溶剂挥发，然后开始压膜，目标表面压为19～21mN/m，达到目标压后将亚相表面的单分子层转移到疏水基片上；2)提膜后的基片干燥后斜插入浓度为4.9～5.1mM的碳酸氢钙溶液中使晶体生长20～28h，晶体生长温度控制在25±1℃。产物经X射线衍射分析确认为方解石晶体；扫描电镜结果显示晶体呈规则的碟状且为中空结构。本发明对实验设备和条件要求较低，可操作性强，可重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 碳酸钙 方解石 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种中空碳酸钙方解石晶体的制备方法，其特征在于，该方法在无尘箱内进行，包括两个步骤：1)将聚β-苯甲基天门冬氨酸溶于挥发性溶剂中制成铺展液，然后将铺展液滴于去离子水亚相表面上，使聚β-苯甲基天门冬氨酸铺展成单分子膜，保持一段时间以使溶剂挥发，然后开始压膜，目标表面压为19～21mN/m，达到目标压后将亚相表面的单分子层转移到疏水基片上；2)提膜后的基片干燥后斜插入浓度为4.9～5.1mM的碳酸氢钙溶液中使晶体生长20～28h，晶体生长温度控制在25±1℃。
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