[发明专利]一种高压功率快恢复二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910066582.2 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101504954A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 贾云鹏 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司;北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/36;H01L21/22;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压功率快恢复二极管及其制造方法，属于半导体器件技术领域。现有高压功率快恢复二极管正向压降呈负温度特性，因此其热可靠性差。本发明之高压功率快恢复二极管主结结深为1～3μm，掺杂浓度为1E16～1E18cm-3。结终端由掺磷多晶硅层场板及铝电极场板复合而成，并且，铝电极与掺磷多晶硅层导通，铝电极场板为多级场板或者无级渐变场板，介质层位于硅高阻层与掺磷多晶硅层场板及铝电极场板之间。本发明之制造方法制备主结的工艺参数为，温度：1050～1150℃，推结时间：60～300分钟，注入剂量控制在1×1012～5×1014cm-2范围内。在制备有主结的硅高阻层上面制作介质层，主结裸露，然后在介质层上面邻近主结处制作掺磷多晶硅层场板，最后制作铝电极场板，铝电极场板与主结、掺磷多晶硅层场板导通并覆盖部分介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压功率快恢复二极管，其外延结构为，在硅高阻层(1)上部有主结(2)，上面覆盖介质层，自下而上依次是热氧化层(4)、低温淀积氧化层(5)和聚酰亚胺钝化层(6)，结终端为复合场板结构，由掺磷多晶硅层场板(7)及铝电极场板(8)复合而成，其特征在于，主结(2)的结深为1～3μm，掺杂浓度为1E16～1E18cm-3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林华微电子股份有限公司;北京工业大学，未经吉林华微电子股份有限公司;北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910066582.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LiFePO4/C复合正极材料一种新型制备方法
- 下一篇：一种复合电缆
- 同类专利
- 专利分类
