[发明专利]可控偏振方向的垂直腔面发射激光器无效
申请号: | 200910066781.3 | 申请日: | 2009-04-08 |
公开(公告)号: | CN101521354A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 王伟;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;G02B5/08;H01S5/0683 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人: | 赵炳仁 |
地址: | 130033吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及到一种垂直腔面发射半导体激光器,特别是一种可控偏振方向的垂直腔面发射激光器,包括p型DBR层、有源层、n型DBR层、GaAs衬底、包覆在p型DBR层上的p面电极和敷设在GaAs衬底底部的n面电极,其所述的p型DBR层是横截面为矩形或菱形的柱体,并使其矩形的两相邻边或菱形的两对角线分别平行于GaAs衬底的(110)晶向和()晶向。本发明VCSEL结构制造工艺简捷、重复性好,容易推广,将VCSEL出射光的偏振方向很好的控制在衬底的(110)晶向和()晶向。 | ||
搜索关键词: | 可控 偏振 方向 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】:
1. 一种可控偏振方向的垂直腔面发射激光器,主要包括p型DBR层(2)、有源层(5)、n型DBR层(6)、GaAs衬底(7)、包覆在p型DBR层(2)上的p面电极(1)和敷设在GaAs衬底(7)底部的n面电极(8),其特征在于,所述的p型DBR层(2)是横截面为矩形或菱形的柱体,并使其矩形的两相邻边或菱形的两对角线分别平行于GaAs衬底(7)的(110)晶向和(110)晶向。
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