[发明专利]石墨衬底上生长氮化硼膜的方法无效
| 申请号： | 200910066895.8 | 申请日： | 2009-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101545095A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李红东;杨旭昕;李英爱;邹广田 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的石墨衬底上生长氮化硼膜的方法属于功能膜材料的技术领域。有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程；所述的石墨衬底的清洁处理有机械抛光、去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中超声清洗；所述的磁控溅射沉积过程是以六角氮化硼作为溅射靶材；在氩气和氮气气氛下，调节射频功率为100～180W，沉积0.5～70小时，在石墨衬底上生长cBN或/和eBN膜。本发明具有如下显著特点：生长的BN膜纯度高；不使用衬底偏压制备的膜应力低，膜表面没有裂痕；没有衬底加热，减少设备的工艺要求，降低了能量损耗和制备成本；BN膜长时间放置在空气中不剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 衬底 生长 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种石墨衬底上生长氮化硼膜的方法，有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程；所述的石墨衬底的清洁处理，是将石墨衬底生长面机械抛光；用去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中各超声清洗10～20分钟，再用去离子水超声清洗15～20分钟，重复上述清洗2～3次烘干；所述的磁控溅射沉积过程：将石墨衬底的生长面向上置于射频磁控溅射沉积设备的衬底台上，以六角氮化硼作为溅射靶材；真空室被预抽真空再通入质量比为1∶5.5～6.5的氩气和氮气的混合气体，保持真空室气压为1.3～2Pa，调节射频功率为150～180W，衬底负偏压为0～120V，沉积时间为30～360分钟，在石墨衬底上生长立方氮化硼膜。
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