[发明专利]背入射式TiO2紫外光探测器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光电探测器件领域，具体涉及一种以石英为衬底，以纳米TiO₂薄膜为基本紫外光探测材料，以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底，采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是：采用溶胶-凝胶技术，在石英衬底上生长一层TiO₂纳米薄膜，然后再在制备好的TiO₂薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触，采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器，采用背入射方式工作，可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm～350nm的紫外线具有良好的检测性能。

主权项

1、背入射式TiO2紫外光探测器，其特征在于：从下到上依次包括石英衬底(1)、采用溶胶凝胶法在石英衬底(1)上生长的纳米晶TiO2薄膜(2)、在纳米晶TiO2薄膜上用磁控溅射法制备的Ni插指电极(3)，待探测的紫外光(4)从石英衬底(1)处入射。