[发明专利]可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料无效
| 申请号： | 200910067211.6 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101604730A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 崔占臣;张学辉;王磊;史作森 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/10;C08F220/28;C08F220/14;C08F220/30;C08F220/36;C08F212/08;H01L51/40 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130023吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可作为绝缘层材料并可以直接光写入图案化的共聚物，该共聚物在紫外波长200～400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。该共聚物为两种单体的无规共聚物，其中一种单体含有光敏基团，两种单体以不同的比例共聚，其结构式如右所示，其中，m、n为1～50之间的整数，且m＞n。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 写入 图案 有机 薄膜晶体管 绝缘 材料 | ||
【主权项】：
1、可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料，其结构式如下所示：![]()
其中，m、n为1～50之间的整数，且m＞n；R1为：![]()
R2为：![]()
X为烷基、醚基或酯基；Y为：![]()
R3是氢、烷基、烷氧基、硝基、卤素、酰基、氰基、磺酰基、酯基或卤代烷基。
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