[发明专利]一种聚合物/无机纳米晶杂化太阳能电池及其制法有效

专利信息
申请号: 200910067426.8 申请日: 2009-08-24
公开(公告)号: CN101640133A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 谢志元;邵书艳;刘凤敏;付莹莹 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 马守忠
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了本发明涉及一种聚合物/无机纳米晶杂化太阳能电池及其制法。引入p型无机纳米晶氧化亚铜做空穴收集层。氧化亚铜纳米晶提高了ITO表面功函数,进而增加了开路电压,最终提高了电池的能量转换效率。与使用传统的聚(3,4-环二氧乙基噻吩):聚苯乙烯磺酸盐做空穴传输层的电池相比,使用氧化亚铜做空穴收集层的电池开路电压提高了32.5%,短路电流提高了49%,能量转换效率提高了171%;与不使用空穴传输层的电池相比,使用氧化亚铜做空穴收集层的器件开路电压提高了55.9%,短路电流提高了57.2%,能量转换效率提高了222%。
搜索关键词: 一种 聚合物 无机 纳米 晶杂化 太阳能电池 及其 制法
【主权项】:
1.一种聚合物/无机纳米晶杂化太阳能电池,其特征在于,其构成如下:玻璃基板(1)和铟锡氧化物阳极层(2)连接;共轭聚合物和氧化锌的共混物构成的光敏层(4)和阴极铝(5)连接;其特征在于,还有氧化亚铜空穴收集层(3),所述的氧化亚铜空穴收集层(3)分别与ITO阳极层(2)和共轭聚合物和氧化锌的共混物构成的光敏层(4)连接;所述的铟锡氧化物阳极层(2)的厚度为80-150纳米;氧化亚铜空穴收集层(3)厚度为30-80纳米;光敏层(4)的厚度为100-200纳米;阴极铝(5)的厚度为80-200纳米。
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