[发明专利]超硬TiB2/Si3N4纳米多层膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910068337.5 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101531074A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李德军;董磊;曹猛;邓湘云 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B7/02;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及超硬TiB2/Si3N4纳米多层膜及其制备方法，它是在0-60nm纯的Ti过渡层上交替沉积TiB2和Si3N4层；其中TiB2与Si3N4层调制比为3-20.6∶1；每周期层厚为3-15nm，多层膜的周期个数为27-200层，纳米多层膜总层厚为400～600nm。本发明的新型超硬TiB2/Si3N4纳米多膜，不但具有优良的高温抗氧化性，而且具有高的硬度；硬度高达36.2GPa，较低内应力(2.5GPa)，较高的膜基结合强度(约为62.579mN)。本发明的TiB2/Si3N4纳米多层膜作为高速切削刀具及其它在高温条件下服役耐磨工件的涂层，具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | tib sub si 纳米 多层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超硬TiB2/Si3N4纳米多层膜，其特征是在0-60nm纯Ti过渡层上交替沉积TiB2和Si3N4层；其中TiB2与Si3N4层调制比为3-20.6∶1；每周期层厚为3-15nm，多层膜周期个数为27-200，纳米多层膜总层厚为400～600nm。
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