[发明专利]金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法，步骤为：(1)制备Si₃N₄层硅片(2)制备纯金属钒薄膜：真空度为(5～6)×10^-4Pa，溅射工作气压为1～2.0Pa，溅射时间为10～20min；(3)退火氧化：退火温度为400～500℃，退火氧化时间为1～2h。本发明提供了一种易于控制、工艺简单的金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法，其产品的电阻温度系数达到-3×10^-2K^-1以上，拓展了氧化钒薄膜的制备方法。本发明是目前用来制作热敏传感器、红外探测器和红外成像器件的理想材料。

主权项

1.一种金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法，具有如下步骤：(1)制备Si3N4衬底：本体真空：4.5×10-1Pa；工作气体：NH4和用N2稀释的SiH4；工作气压：4.3Pa；NH4和用N2流量分别为：12ml/min和38ml/min；衬底温度：100℃，淀积12分钟；制得Si3N4层硅片；将表面生长了Si3N4层的硅片切割成尺寸为2cm×1cm的Si3N4衬底，以备镀制金属钒薄膜；(2)制备纯金属钒薄膜：将制得的Si3N4衬底置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用质中量纯度为99.9％的金属钒作为靶材，在质量纯度为99.999％的氩气作为工作气体；以本体真空度为(5～6)×10-4Pa，溅射工作气压为1～2.0Pa，溅射时间为10～20min，Ar气体流量为48ml/min，制得纯金属钒薄膜；(3)退火氧化将制得的金属钒薄膜，置于退火炉内，退火环境为大气环境，退火温度为400～500℃，退火氧化时间为1～2h。