[发明专利]电沉积Bi2Te3掺杂薄膜温差电材料的制备方法有效
| 申请号： | 200910069904.9 | 申请日： | 2009-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101613867A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王为;李菲晖 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D9/04;H01L35/34 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王 丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电沉积Bi2Te3掺杂薄膜温差电材料的电沉积方法。是在电沉积体系中采用动电位或动电流的电沉积方法。电沉积体系中的电源输出的动电位波形是连续扫描电位波形，或阶梯扫描电位波形；阴极电极电位范围为-1V～1V。电沉积体系中的电源输出的动电流波形可以是连续扫描电流波形或阶梯扫描电流波形；阴极电流密度的范围为-50mA/cm2～100mA/cm2。本发明制备Bi2Te3掺杂薄膜温差电材料具有制造成本低、材料的表面形貌好，温差电性能高、易于大规模生产。这种薄膜温差电材料非常适用于制备微型温差电池、微型温差电制冷(加热)器以及温差电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 bi sub te 掺杂 薄膜 温差 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电沉积Bi2Te3掺杂薄膜温差电材料的电沉积方法，其特征是在电沉积体系中采用动电位或动电流的电沉积方法。
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