[发明专利]一种新型的钙钛矿锰基氧化物薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910070258.8 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101692459A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈立华 | 申请（专利权）人： | 陈立华 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;C23C14/35;C23C14/08;H01L21/363 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新型的钙钛矿型锰基氧化物薄膜材料及其制备方法，特别是一种A位电子掺杂型的半导体钙钛矿锰基氧化物钕锆锰氧(Nd0.9Zr0.1MnO3)薄膜材料及其制备方法。该新型的钕锆锰氧(Nd0.9Zr0.1MnO3)薄膜材料可以使用射频磁控溅射的方法制备，利用该方法制备的Nd0.9Zr0.1MnO3薄膜具有很好的单相性，成分均一，且制备工艺简单，成本低廉，易于生产实现，因而在半导体器件领域具有巨大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 钙钛矿锰基 氧化物 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种A位电子掺杂型钙钛矿锰基氧化物钕锆锰氧薄膜材料，其化学结构通式为Nd0.9Zr0.1MnO3，该钕锆锰氧薄膜材料的的尘长方式为外延生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈立华，未经陈立华许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910070258.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变换装置、分配系统、分配方法以及程序
- 下一篇：具有对称参考的视频会议系统
- 同类专利
- 专利分类
