[发明专利]少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能硅单晶生长工艺

摘要

本发明涉及一种少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能硅单晶生长工艺。外型6～8英寸，<100>晶向、电阻率范围为1～20Ω·cm、表皮及截面少数载流子寿命≥1000μs，间隙氧含量为[Oi]≤17.5ppma，替位碳含量为[Cs]≤0.5ppma。以磷掺杂的块状多晶硅为原料制备，包括：装料、加热、引径、等径、收尾、冷却，程序升温稳态加热化料，待熔硅内部热场稳定后，开始引细径，提单晶尾部至导流筒上沿，冷却时间不大于3小时。本发明晶体生长方法实用、效率高、成本低，能够以CZ法制得N型单晶硅从头部至尾部完全大于等于1000微秒，为高效太阳能电池的提高效率创造了工业化的基础。

主权项

一种直拉法生长N型高寿命硅单晶棒，其特征在于：<100>晶向、电阻率范围为1～20Ω·cm、表皮及截面少数载流子寿命≥1000μs，间隙氧含量为[Oi]≤17.5ppma，替位碳含量为[Cs]≤0.5ppma。