[发明专利]一种含CuCl的KCl晶体材料及其制备方法无效
申请号: | 200910070501.6 | 申请日: | 2009-09-21 |
公开(公告)号: | CN101665979A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 袁忠勇;张绘;侯晓旭 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;C30B7/00;C09K11/61 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种含CuCl的KCl晶体材料,利用溶析结晶方法制备。所制备材料是一种Cu+掺杂的KCl晶体或包埋有CuCl纳米团簇的KCl晶体,具有明显的缺陷荧光发射性能,可能成为潜在的发光材料。本发明所用设备简单,合成条件温和,且原料易得,适易工业放大生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 cucl kcl 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种含CuCl的KCl晶体材料,其特征在于它是一种Cu+掺杂的KCl晶体或包埋有CuCl纳米团簇的KCl晶体,具有明显的缺陷荧光发射性能。
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