[发明专利]一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法

摘要

一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。

主权项

一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，其特征在于：制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，工艺参数为：频率27.12MHz-100MHz、反应气体气压1Torr-10Torr、衬底温温度为100℃-300℃、功率密度0.15W/cm2-1W/cm2、电极间距5mm-15mm、沉积时间小于20min。