[发明专利]利用甲烷氧化细菌生产甲烷氧化菌素的制备方法无效
申请号: | 200910071723.X | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101519654A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 辛嘉英;董静;王艳 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨商业大学 |
主分类号: | C12N9/08 | 分类号: | C12N9/08;C12R1/01 |
代理公司: | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 崔东辉 |
地址: | 150076黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用甲烷氧化细菌生产甲烷氧化菌素的制备方法。其特点是:是在严格限铜的培养基中对甲烷氧化细菌进行分段发酵培养,从发酵液中通过离心、Dianion HP-20大孔树脂吸附和冷冻干燥获得甲烷氧化菌素。在用本发明的方法对甲烷氧化细菌进行分段培养时,甲烷氧化细菌先在较高铜含量的培养条件下快速生长,待达到一定细胞密度后,在低铜培养条件下大量释放甲烷氧化菌素,释放的甲烷氧化菌素不能与铜结合,无法被细胞识别进入细胞内部,从而在发酵介质中积累。从发酵介质中获得甲烷氧化菌素,解决了甲烷氧化菌素进入细胞后结合于内膜系统而分离纯化困难的问题。与常规生产方法相比,本发明的方法可以极大程度地提高甲烷氧化菌素的产量,且简化了甲烷氧化菌素分离纯化的程序,基于上述优点,本发明将在甲烷氧化菌素的应用中发挥巨大作用。 | ||
搜索关键词: | 利用 甲烷 氧化 细菌 生产 菌素 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种利用甲烷氧化细菌生产甲烷氧化菌素的制备方法,其特征在于:是是在常规培养甲烷氧化细菌的液体培养基中分阶段添加CuSO4,在发酵液中获得甲烷氧化菌素。
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