[发明专利]一种制备BiFeO3薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910072848.4 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101691655A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李宜彬;赫晓东;吕宏振 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种制备BiFeO3薄膜的方法，它涉及一种制备BiFeO3薄膜的方法。本发明解决了现有的磁控溅射技术制备得到的BiFeO3薄膜中Fe含量不足的问题。方法：一、Bi1.1FeO3靶材和Fe靶材同时将Bi1.1FeO3和Fe溅射到Pt/Ti/SiO2/Si基体上；二、将步骤一溅射结束后的基体置于氧气气氛下保温5min，然后冷却至室温，即得到BiFeO3薄膜。本发明方法可以准确地控制BiFeO3薄膜的成分，制备得到的BiFeO3薄膜具有优良的铁电性能和铁磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 bifeo sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备BiFeO3薄膜的方法，其特征在于制备BiFeO3薄膜的方法按照以下步骤进行：一、Bi1.1FeO3靶材和Fe靶材同时将Bi1.1FeO3和Fe溅射到Pt/Ti/SiO2/Si基体上，控制Bi1.1FeO3靶材的溅射功率密度为1.8～2.2W/cm2，控制Fe的溅射功率密度为0.66～1.1W/cm2，溅射过程中通入氩气和氧气的混合体，其中氩气和氧气的体积比为1∶1～4∶1，气压为1.5Pa，Pt/Ti/SiO2/Si基体温度为200～500℃；二、将步骤一溅射结束后的Pt/Ti/SiO2/Si基体置于氧气气氛下，以50℃/s的速度加热至400～700℃保温5min，控制气压为1.013×105Pa，然后冷却至室温，即制备得到BiFeO3薄膜。
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