[发明专利]一种扩散阻挡层薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910073011.1 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101673705A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李宜彬;赫晓东;吕宏振;孙玉芳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru-N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru-N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：1.清洗硅基片；2.利用磁控溅射法沉积薄膜；3.退火后得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜。本发明的工艺简单；得到Ru-TiN扩散阻挡层薄膜能有效地抑制铜原子和硅原子之间的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 阻挡 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于扩散阻挡层薄膜的制备方法是由下述步骤实现的：一、将硅基片放入磁控溅射镀膜设备的真空腔中，然后利用等离子体对硅基片进行清洗；二、在氮气和氩气的气氛下，以钌和钛作为阴极采用磁控共溅射法对经步骤一处理的硅基片进行沉积600s，其中沉积过程中，靶阴极钌的溅射功率均为100W，靶阴极钛的溅射功率为100～220W，氩气的流量为10～25sccm，氮气的流量为5～20sccm，工作气压固定为10mTorr；三、以10℃/min升温速率升温至400～700℃，保温对经步骤二处理的硅基片进行退火60min，真空条件下冷却至室温；即得到扩散阻挡层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
