[发明专利]一种调制导通电阻UMOS晶体管有效
| 申请号： | 200910073105.9 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101697356A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;曹菲 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调制导通电阻UMOS晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，多晶硅极板(204)与栅电极(208)连接。可以根据器件具体导通特性、击穿特性的要求来具体设定器件各区域尺寸。这种结构可在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 通电 umos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种调制导通电阻UMOS晶体管，包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，其特征在于：多晶硅极板(204)与栅电极(208)短接。
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