[发明专利]基于SOI材料的复杂NEMS结构的制作方法有效
| 申请号： | 200910074200.0 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101525117A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 罗蓉;杨拥军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI材料的复杂NEMS结构的制作方法，包括以下步骤：1)SOI材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化，减薄硅片厚度，2)利用光刻和湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化硅腐蚀掉，3)采用磁控溅射方法生成金属层，并剥离出焊盘、布线以及电子束对位标记，4)采用电子束光刻和湿法腐蚀方法将NEMS结构图形转移到顶层硅片上，5)采用感应耦合等离子刻蚀方法将NEMS结构图形对应区域的硅片刻蚀掉，形成NEMS结构，6)采用HF腐蚀NEMS结构下SOI材料上的二氧化硅牺牲层，采用二氧化碳超临界萃取方法释放NEMS结构。本发明具有加工定位准确、加工精度高、可批量、重复制备的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 材料 复杂 nems 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于SOI材料的复杂NEMS结构的制作方法，包括以下步骤：1)SOI材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化，生成二氧化硅，减薄硅片厚度，2)利用光刻和湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化硅腐蚀掉，3)将步骤2)生成的区域采用磁控溅射方法生成金属层，并剥离出焊盘、布线以及电子束对位标记，4)采用电子束光刻和湿法腐蚀方法将NEMS结构图形区域的二氧化硅腐蚀掉，使NEMS结构图形转移到顶层硅片上，5)采用感应耦合等离子刻蚀方法将NEMS结构图形对应区域的硅片刻蚀掉，形成NEMS结构，6)采用HF腐蚀NEMS结构下SOI材料上的二氧化硅牺牲层，采用二氧化碳超临界萃取方法释放NEMS结构，完成制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910074200.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
