[发明专利]一种优化L10-FePt薄膜微结构的方法无效
| 申请号： | 200910074272.5 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101572096A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张湘义;李晓红 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;H01F41/18;C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 秦皇岛市维信专利事务所 | 代理人： | 鄂长林 |
| 地址： | 066004河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种优化L10-FePt薄膜微结构的方法，该发明通过对室温下制备的原始态FePt薄膜退火过程中采用高压技术，利用高压能促进L10有序畴形核并抑制其生长的特点，将FePt薄膜中L10有序畴尺寸降低到接近10nm，并且显著的提高了L10有序畴尺寸的均匀性。降低了FePt薄膜的晶粒尺寸，有效的优化了L10-FePt薄膜的微结构。所述方法采用的工艺参数为：退火温度：400～700℃，退火时间：2min～200min；压力：0.2～1GPa，真空度：p＜10-3Pa。本发明为L10-FePt薄膜作为超高密度磁记录材料的应用和发展提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 l1 sub fept 薄膜 微结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化L10-FePt薄膜微结构的方法，其特征是：所述方法的工艺步骤是：a.在室温下，采用具有电磁铁的直流磁控溅射系统在自然氧化的Si基片上生长成分范围为Fe∶Pt＝40∶60～60∶40的具有无序A1结构的原始态FePt薄膜(4)；b.将所制备的原始态FePt薄膜(4)膜面朝下装进一高强度石墨套管(3)内，填充立方氮化硼(8)做传压介质，用石墨封盖封好后，将该高强度石墨套管(3)装入内径等于高强度石墨套管(3)直径的由内阴模(6)和外阴模(7)组成的阴模内，在高强度石墨套管(3)两侧装上两个对顶压头(5)；在紧贴高强度石墨套管的内阴模上放置测温热电偶(9)，用以原位测量薄膜的退火温度，在压头上靠近阴模的位置放置温控热电偶(2)，用以控制FePt薄膜(4)的退火温度。c.将上述装有高强度石墨套管(3)和压头(5)的磨具装在Gleeble-3500热模拟试验机真空腔体(10)内，用卡具(1)固定，真空腔体(10)真空抽至p＜10-3Pa，通过卡具(1)由热模拟试验机向FePt薄膜施加压力0.2～1GPa。d.在加压的过程中，给FePt薄膜(4)升高温度到400～700℃进行退火，退火时间为2min～200min；将其温度降至室温，卸掉压力，取出FePt薄膜(4)。
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